| 项 目 (Item) | 标 准 (Spec) |
| 电学性能 electronic characters |
| 导电类型（type） | P型(B dopant) | N型（P dopant） |
| 电阻率（resistivity annealed）（Ω·cm） | 1.0～3.0 | 0.2~2.0;0.8~5;1~15;(custom as required) |
| 电阻率不均匀性(inhomogeneity of resistivity) | ≤15% | ≤25% |
| 硅片少子寿命(lifetime)（μs） | ≥10.0 | ≥500.0 |
| 氧含量(oxygen)（ppma） | ≤20 |
| 碳含量(carbon)（ppma） | ≤1 |
| 晶体结构 crystal structure |
| 晶向(orientation) | o |
| 缺陷(swirl and OSF-ring) | 无（none） |
| 位错密度(dislocation density)（cm-2） | ≤3000 |
| 表面质量 appearance |
| 硅落、V缺口、孪晶、裂纹、沾污、针孔 （crack, V-shape，twin， stain,pinhole） | 无（none） |
| 崩边(edge chips)（mm） | ≤0.5*0.3, no more than 2/wafer |
| 线痕(saw marks)（μm） | ≤15.0 |
| 弯曲度(bow)（μm ） | ≤50.0 |
| 翘曲度(warp)（μm ） | ≤50.0 |
| 硅片尺寸 dimension |
| 边长&直径(length and diameter)（mm） | 156.75 | 210 |
| 硅片厚度(thickness)（μm） | 180 | 200 |
| TV（μm） | 200 | ±15.0 |
| 180 | ±15.0 |
| TTV（μm） | 200 | 30 |
| 180 | 25 |
| 直线段的垂直度（verticality of side） | 90o±0.3o |
| 包装与储运 package and carriage |
| 包装（package） | 1盒400片；1箱1600片；1托48000片。 |
| 400pcs/box，1600pcs/case，48Kpcs/pallet |
| 储存（Storage） | 温度（temperature.）：10℃～40℃ |
| 湿度（humidity）：≤60% |
